Øvingsoppgaver PHYS321: Difference between revisions
m (moved PHYS321 to Øvingsoppgaver PHYS321) |
mNo edit summary |
||
| Line 1: | Line 1: | ||
=== Øving i bruk av IC Studio === | === Øving i bruk av IC Studio === | ||
| Line 11: | Line 9: | ||
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal | # Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal | ||
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. | # Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. | ||
=== VHDL === | |||
Utfyllende tekst kommer | |||
[[Category:Mikroelektronikk]] | [[Category:Mikroelektronikk]] | ||
Revision as of 09:36, 17 February 2010
Øving i bruk av IC Studio
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.
- Tegn skjema
- Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal
- Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp.
VHDL
Utfyllende tekst kommer