Øvingsoppgaver PHYS321: Difference between revisions

From ift
(Created page with '== Øvingsoppgaver PHYS321 == === Øving i bruk av IC Studio === Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio IC Studio Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle m...')
 
mNo edit summary
 
(10 intermediate revisions by 2 users not shown)
Line 1: Line 1:
== Øvingsoppgaver PHYS321 ==
=== Øving i bruk av IC Studio ===
=== Øving i bruk av IC Studio ===


Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[IC Studio IC Studio]]
Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av [[IC_studio|IC Studio]]


Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM).
Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM).
Line 9: Line 7:


# Tegn skjema
# Tegn skjema
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virkwer som den skal
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet)
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygegs opp.
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.
 
=== VHDL ===
Utfyllende tekst kommer


[[Category:Mikroelektronikk]]
[[Category:Mikroelektronikk]]

Latest revision as of 12:49, 5 March 2015

Øving i bruk av IC Studio

Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio

Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.

  1. Tegn skjema
  2. Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet)
  3. Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.

VHDL

Utfyllende tekst kommer