Difference between revisions of "Øvingsoppgaver PHYS321"

m
Line 7: Line 7:
  
 
# Tegn skjema
 
# Tegn skjema
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal
+
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrive stabilitet og lese stabilitet)
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp.
+
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.
  
 
=== VHDL ===
 
=== VHDL ===

Revision as of 14:48, 5 March 2015

Øving i bruk av IC Studio

Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio

Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.

  1. Tegn skjema
  2. Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrive stabilitet og lese stabilitet)
  3. Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.

VHDL

Utfyllende tekst kommer